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例題タイトル
例題イメージ
使用条件および機能
参考情報
平板コンデンサの静電容量計算
静解析（容量値）
開放境界
（吸収境界）
電位指定
メッシュ数 6755
解析時間 2秒
最大消費メモリ 56MB
誘電体コンデンサの静電容量計算
静解析（容量値）
開放境界
（吸収境界）
電位指定
メッシュ数 10716
解析時間 3秒
最大消費メモリ 56MB
複数電極間の静電容量計算
静解析（容量値）
開放境界
（吸収境界）
電位指定
メッシュ数 9820
解析時間 3秒
最大消費メモリ 57MB
浮き電極の電位計算
静解析（容量値）
開放境界
（吸収境界）
電位指定
浮き電極
メッシュ数 15693
解析時間 3秒
最大消費メモリ 57MB
空間に存在する点電荷が作る電界
静解析（容量値）
開放境界
（吸収境界）
電荷設定
メッシュ数 6781
解析時間 1秒
最大消費メモリ 71MB
空間に存在する球電荷が作る電界
静解析（容量値）
開放境界
（吸収境界）
電荷密度設定
メッシュ数 7629
解析時間 2秒
最大消費メモリ 72MB
誘電体に働く静電力の計算
静解析（容量値）
開放境界
（吸収境界）
電位指定
メッシュ数 7631
解析時間 2秒
最大消費メモリ 71MB
めっき槽の解析
（ハルセル試験槽）
静解析（抵抗値）
めっき解析オプション
めっき壁
メッシュ数 857
解析時間 3秒
最大消費メモリ 125MB
めっき解析
（めっき槽内のパーツのめっき）
静解析（抵抗値）
めっき解析オプション
めっき壁
メッシュ数 41512
解析時間 2分51秒
最大消費メモリ 470MB
ホール素子解析
静解析（抵抗値）
ホール素子解析
オプション
外部磁界設定
電流設定
浮き電極
メッシュ数 926/2785
解析時間 3秒/4秒
最大消費メモリ 348MB/336MB
導体の抵抗値の計算
静解析（抵抗値）
電位指定
メッシュ数 744
解析時間 0秒
最大消費メモリ 71MB
周期境界条件を使用した解析
静解析（容量値）
周期境界
電位指定
メッシュ数 1110
解析時間 0秒
最大消費メモリ 71MB
異方性誘電体の解析
静解析（容量値）
異方性誘電率
電位指定
メッシュ数 4618
解析時間 1秒
最大消費メモリ 71MB
誘電体と導体の解析
調和解析
電位指定
メッシュ数 10619
解析時間 3秒
最大消費メモリ 933MB
コロナ放電（不平等電界）の解析
静解析（容量値）
電位指定
メッシュ数 56786
解析時間 8秒
最大消費メモリ 114MB
異方性導体の解析
静解析（容量値）
異方性導電率
電位指定
メッシュ数 4618
解析時間 1秒
最大消費メモリ 71MB
コイルの浮遊容量計算
静解析（容量値）
電位指定
入出力ポート
メッシュ数 31424
解析時間 9秒
最大消費メモリ 102MB
メッシュ数 2405
解析時間 1秒最大消費メモリ 119MB