CAEソフト【 Femtet 】－ムラタソフトウェア株式会社
電場解析
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参考情報は32bit版Femtetを用いて下記の環境で測定した値です。
CPU：Intel Core i7-3770 3.40GHz メモリ：4.00GB
各測定値はFemtetのバージョンや環境により異なるため参考値となります。
電場解析
1
平板コンデンサの静電容量計算
使用条件および機能
静解析（容量値）
開放境界（吸収境界）
電位指定
参考情報
- メッシュ数 6755
- 解析時間 2秒
- 最大消費メモリ 56MB
2
誘電体コンデンサの静電容量計算
使用条件および機能
静解析（容量値）
開放境界（吸収境界）
電位指定
参考情報
- メッシュ数 10716
- 解析時間 3秒
- 最大消費メモリ 56MB
3
複数電極間の静電容量計算
使用条件および機能
静解析（容量値）
開放境界（吸収境界）
電位指定
参考情報
- メッシュ数 9820
- 解析時間 3秒
- 最大消費メモリ 57MB
4
浮き電極の電位計算
使用条件および機能
静解析（容量値）
開放境界（吸収境界）
電位指定
浮き電極
参考情報
- メッシュ数 15693
- 解析時間 3秒
- 最大消費メモリ 57MB
5
空間に存在する点電荷が作る電界
使用条件および機能
静解析（容量値）
開放境界（吸収境界）
電荷設定
参考情報
- メッシュ数 6781
- 解析時間 1秒
- 最大消費メモリ 71MB
6
空間に存在する球電荷が作る電界
使用条件および機能
静解析（容量値）
開放境界（吸収境界）
電荷密度設定
参考情報
- メッシュ数 7629
- 解析時間 2秒
- 最大消費メモリ 72MB
7
誘電体に働く静電力の計算
使用条件および機能
静解析（容量値）
開放境界（吸収境界）
電位指定
参考情報
- メッシュ数 7631
- 解析時間 2秒
- 最大消費メモリ 71MB
8
めっき槽の解析（ハルセル試験槽）
使用条件および機能
静解析（抵抗値）
めっき解析オプション
めっき壁
参考情報
- メッシュ数 857
- 解析時間 3秒
- 最大消費メモリ 125MB
9
めっき解析（めっき槽内のパーツのめっき）
使用条件および機能
静解析（抵抗値）
めっき解析オプション
めっき壁
参考情報
- メッシュ数 41512
- 解析時間 2分51秒
- 最大消費メモリ 470MB
10
ホール素子解析
使用条件および機能
静解析（抵抗値）
ホール素子解析オプション
外部磁界設定
電流設定
浮き電極
参考情報
- メッシュ数 926/2785
- 解析時間 3秒/4秒
- 最大消費メモリ 348MB/336MB
11
導体の抵抗値の計算
使用条件および機能
静解析（抵抗値）
電位指定
参考情報
- メッシュ数 744
- 解析時間 0秒
- 最大消費メモリ 71MB
12
周期境界条件を使用した解析
使用条件および機能
静解析（容量値）
周期境界
電位指定
参考情報
- メッシュ数 1110
- 解析時間 0秒
- 最大消費メモリ 71MB
13
異方性誘電体の解析
使用条件および機能
静解析（容量値）
異方性誘電率
電位指定
参考情報
- メッシュ数 4618
- 解析時間 1秒
- 最大消費メモリ 71MB
14
誘電体と導体の解析
使用条件および機能
調和解析
電位指定
参考情報
- メッシュ数 10619
- 解析時間 3秒
- 最大消費メモリ 933MB
15
コロナ放電（不平等電界）の解析
使用条件および機能
静解析（容量値）
電位指定
参考情報
- メッシュ数 56786
- 解析時間 8秒
- 最大消費メモリ 114MB
16
異方性導体の解析
使用条件および機能
静解析（容量値）
異方性導電率
電位指定
参考情報
- メッシュ数 4618
- 解析時間 1秒
- 最大消費メモリ 71MB
17
コイルの浮遊容量計算
使用条件および機能
静解析（容量値）
電位指定
入出力ポート
参考情報
- メッシュ数 31424
- 解析時間 9秒
- 最大消費メモリ 102MB
18
電気抵抗境界を用いた事例
使用条件および機能
静解析（抵抗値）
電気抵抗境界
参考情報
- メッシュ数 2405
- 解析時間 1秒
- 最大消費メモリ 119MB
応力解析・電場解析
1
静電力による変位量の解析
使用条件および機能
静解析
静電力を考慮
電位境界
参考情報
- メッシュ数 1129
- 解析時間 1秒
- 最大消費メモリ 71MB
2
熱膨張によるコンデンサの容量変化(変形形状を考慮した解析)
使用条件および機能
電場：静解析(容量値)
電位指定
開放境界(吸収境界)
結果インポート(変形形状)
応力：静解析
熱荷重オプション
参考情報
- メッシュ数
- 解析時間
- 最大消費メモリ
3
変形による配線の抵抗変化(変形形状を考慮した解析)
使用条件および機能
電場：静解析(抵抗値)
電位指定
結果インポート(変形形状)
応力：静解析
変位固定
強制変位
参考情報
- メッシュ数
- 解析時間
- 最大消費メモリ