電場解析

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参考情報は32bit版Femtetを用いて下記の環境で測定した値です。
CPU:Intel Core i7-3770 3.40GHz メモリ:4.00GB
各測定値はFemtetのバージョンや環境により異なるため参考値となります。

電場解析

1

平板コンデンサの静電容量計算

使用条件および機能

静解析(容量値)
開放境界(吸収境界)
電位指定

参考情報

  • メッシュ数 6755
  • 解析時間 2秒
  • 最大消費メモリ 56MB

2

誘電体コンデンサの静電容量計算

使用条件および機能

静解析(容量値)
開放境界(吸収境界)
電位指定

参考情報

  • メッシュ数 10716
  • 解析時間 3秒
  • 最大消費メモリ 56MB

3

複数電極間の静電容量計算

使用条件および機能

静解析(容量値)
開放境界(吸収境界)
電位指定

参考情報

  • メッシュ数 9820
  • 解析時間 3秒
  • 最大消費メモリ 57MB

4

浮き電極の電位計算

使用条件および機能

静解析(容量値)
開放境界(吸収境界)
電位指定
浮き電極

参考情報

  • メッシュ数 15693
  • 解析時間 3秒
  • 最大消費メモリ 57MB

5

空間に存在する点電荷が作る電界

使用条件および機能

静解析(容量値)
開放境界(吸収境界)
電荷設定

参考情報

  • メッシュ数 6781
  • 解析時間 1秒
  • 最大消費メモリ 71MB

6

空間に存在する球電荷が作る電界

使用条件および機能

静解析(容量値)
開放境界(吸収境界)
電荷密度設定

参考情報

  • メッシュ数 7629
  • 解析時間 2秒
  • 最大消費メモリ 72MB

7

誘電体に働く静電力の計算

使用条件および機能

静解析(容量値)
開放境界(吸収境界)
電位指定

参考情報

  • メッシュ数 7631
  • 解析時間 2秒
  • 最大消費メモリ 71MB

8

めっき槽の解析(ハルセル試験槽)

使用条件および機能

静解析(抵抗値)
めっき解析オプション
めっき壁

参考情報

  • メッシュ数 857
  • 解析時間 3秒
  • 最大消費メモリ 125MB

9

めっき解析(めっき槽内のパーツのめっき)

使用条件および機能

静解析(抵抗値)
めっき解析オプション
めっき壁

参考情報

  • メッシュ数 41512
  • 解析時間 2分51秒
  • 最大消費メモリ 470MB

10

ホール素子解析

使用条件および機能

静解析(抵抗値)
ホール素子解析オプション
外部磁界設定
電流設定
浮き電極

参考情報

  • メッシュ数 926/2785
  • 解析時間 3秒/4秒
  • 最大消費メモリ 348MB/336MB

11

導体の抵抗値の計算

使用条件および機能

静解析(抵抗値)
電位指定

参考情報

  • メッシュ数 744
  • 解析時間 0秒
  • 最大消費メモリ 71MB

12

周期境界条件を使用した解析

使用条件および機能

静解析(容量値)
周期境界
電位指定

参考情報

  • メッシュ数 1110
  • 解析時間 0秒
  • 最大消費メモリ 71MB

13

異方性誘電体の解析

使用条件および機能

静解析(容量値)
異方性誘電率
電位指定

参考情報

  • メッシュ数 4618
  • 解析時間 1秒
  • 最大消費メモリ 71MB

14

誘電体と導体の解析

使用条件および機能

調和解析
電位指定

参考情報

  • メッシュ数 10619
  • 解析時間 3秒
  • 最大消費メモリ 933MB

15

コロナ放電(不平等電界)の解析

使用条件および機能

静解析(容量値)
電位指定

参考情報

  • メッシュ数 56786
  • 解析時間 8秒
  • 最大消費メモリ 114MB

16

異方性導体の解析

使用条件および機能

静解析(容量値)
異方性導電率
電位指定

参考情報

  • メッシュ数 4618
  • 解析時間 1秒
  • 最大消費メモリ 71MB

17

コイルの浮遊容量計算

使用条件および機能

静解析(容量値)
電位指定
入出力ポート

参考情報

  • メッシュ数 31424
  • 解析時間 9秒
  • 最大消費メモリ 102MB

18

電気抵抗境界を用いた事例

使用条件および機能

静解析(抵抗値)
電気抵抗境界

参考情報

  • メッシュ数 2405
  • 解析時間 1秒
  • 最大消費メモリ 119MB

応力解析・電場解析

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