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例題３１ムラタ製品のCAEデータを使用した解析(RFインダクタ)

調和解析および開放境界の設定を以下のように行っています。

タブ設定	設定項目	条件
メッシュ	要素の種類	２次要素
	アダプティブ法	アダプティブメッシュを使用するをチェック
	周波数依存メッシュの設定	参照周波数：5×109[Hz] 表皮厚みより厚い導体ボディを境界条件とするをチェック
調和解析	スイープタイプ	対数等間隔をチェック
	スイープ値	最小 1×109[Hz] 最大 10×109[Hz] 分割数：　10
	スイープの設定	高速スイープを選択 Sパラ変化量：　1×10-3
	入力	1.0[W]
開放境界	種類	吸収境界
開放境界	吸収境界の次元	1次

基板中央にRFインダクタを配置しました。RFインダクタと、ポートの間はマイクロストリップラインで結んでいます。

ポートは、解析領域の一番外側の面につけました。

全体図	RFインダクタ (LQP02TN_02、LQP03TG_02、LQP03TN_02シリーズ)	RFインダクタ (LQP02TQ_02、LQP03HQ_02シリーズ)
	※１外部電極 ※２素体 ※３方向識別マーク(このマークの存在する面が上面となります)	※１外部電極(両端の外部電極が回り込む面が底面となります) ※２素体

村田製作所のホームページから、RFインダクタのLQP03TN_02シリーズのCAEデータをダウンロードして、ダウンロードしたzipファイルを任意のフォルダに解凍します。
解凍したフォルダから、データベースファイル(LQP03TN0N6_02.fvdb)をFemtetに取り込みます。データベースファイルの取り込み方法については、「ブラックボックスデータベースを使用して解析を実行する」をご覧ください。
RFインダクタ以外のモデルを作成します。
ModelDBツリーから、RFインダクタ(LQP03TN0N6_02)のモデルデータをインポートします。
インポートしたRFインダクタモデルを、外部電極部分がマイクロストリップラインと接する位置に移動させます。

※1 材料データベースを利用

※2 ムラタ製品のCAEデータからインポートしたRFインダクタモデルです。
解析実行時にブラックボックスモデルに置換される為、ここで設定するボディ属性、材料定数は適当で構いません。

結果として得られたS11,S12の周波数特性を示します。

例題３１ ムラタ製品のCAEデータを使用した解析(RFインダクタ)