
CAEソフト【 Femtet 】-ムラタソフトウェア株式会社
SiGe層上にSi薄膜層を製膜したときに、両者の格子の不整合によりSi層に発生する応力を解析した例を示します。
格子不整合度 = {(薄膜の格子定数) – (基板の格子定数)} / (基板の格子定数)が
-0.1%のときに、Si層に発生する引張応力を解析します。
SiGe層に比べSi層の格子定数の方が小さく、格子不整合度は負の値となっています。
表に記載されていない条件は初期設定の条件を使用します。
項目 |
条件 |
解析空間 |
3次元 |
モデル単位 |
μm |
薄膜という非常に薄いものの解析を行うため、単位はμmとします。
項目 |
条件 |
ソルバー |
応力解析[Galileo] |
解析の種類 |
静解析 |
解析オプション |
選択なし |
厚み0.1μm、厚み0.01μmの直方体ソリッドボディ を定義し、それぞれに、ボディ属性 SiGe層
、Si層を設定します。
BODY No./BODY Type |
BODY名 |
材料名 |
0/Solid |
SiGe層 |
301_シリコン(結晶)※ |
1/Solid |
Si層 |
301_シリコン(結晶)※ |
※材料データベースを利用
Si層の初期ひずみタブで、格子不整合度-0.1% を軸ひずみ-0.001として入力します。
Si層は、解析時に、作成したモデルに対して0.1%小さいサイズに変形します。
BODY属性名 |
初期ひずみ |
Si層 |
軸ひずみ/等方/-0.001 |
最大主応力のコンター図を示します。
格子のミスマッチにより、基板が反り、Si層に引張応力が発生している様子が分かります。
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